【内容摘要】
为什么 NAND Flash 不只是一个“更大容量的存储器”，而是一条牵动器件结构、工艺路线、控制器约束和系统级架构共同演进的技术主线？当平面 NAND 的缩放逐步逼近物理边界，产业为什么会从 2D 走向 3D，又为什么 3D NAND 的真正难点不只在阵列堆叠，而在器件、外围电路与系统需求之间的整体协同？
本期是 ISSCC 2024 Tutorial T08，由 Violante Moschiano 主讲，系统梳理 3D Flash Memory from Technology to the System: past, present and future developments：先回顾 NAND Flash 的基本工作与密度优势，再分析从 2D NAND 走向 3D NAND 的工艺与缩放驱动，随后展开 3D NAND 的垂直结构、架构约束、外围电路与控制问题，并把讨论延伸到 component-to-system 的整合逻辑以及后续演进方向。适合关注非易失存储、存储器工艺、SSD 系统、器件到系统协同设计的同学和工程师观看。
【时间轴】
00:00 开场与课程结构
01:35 NAND Flash基础
04:50 从2D到3D NAND
59:01 3D NAND架构
01:13:18 器件到系统协同
01:16:49 后续演进方向
01:20:32 总结与收束
【视频来源】
ISSCC 2024 Tutorial T08: 3D Flash Memory from Technology to the System: past, present and future developments
speaker: Violante Moschiano
