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【公开课】MOS 晶体管 - 哥伦比亚大学 -（MOS Transistors，英文授课及字幕）

1.2万
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2020-03-07 01:11:48
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https://www.coursera.org/learn/mosfet MOS 晶体管（MOS Transistors，英文授课及字幕）- 哥伦比亚大学 学习MOS晶体管如何工作，以及如何建模。本课程所提供的知识不仅对设备建模者，而且对高性能电路的设计者都是必不可少的。
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www.bilibili.com/read/cv9038294 关于“微电子与纳电子学”的使用说明及版权声明
视频选集
（33/78）
1.1.1 About This Course
13:45
1.1.2 Intuitive Overview of the MOS Transistor
13:31
1.2 CMOS Processes
07:32
1.3.1 Semiconductors - Part 1
14:09
1.3.2 Semiconductors - Part 2
11:00
1.3.3 Semiconductors - Part 3
07:03
1.4.1 Conduction – Part 1
10:56
1.4.2 Conduction – Part 2
06:59
1.5.1 Contact Potentials
08:55
1.5.2 pn Junctions – Zero and Forward Bias
09:21
1.6.1 pn Junctions –Under Reverse Bias – Part 1
10:59
1.6.2 pn Junctions –Under Reverse Bias – Part 2
08:44
2.1.1 The Two-Terminal MOS Structure – Flatband Voltage
10:23
2.1.2 The Two-Terminal MOS Structure – Surface Condition
14:35
2.2.1 The Two-Terminal MOS Structure – General Analysis
13:07
2.2.2 The Two-Terminal MOS Structure – Inversion
11:16
2.2.3 The Two-Terminal MOS Structure – Strong Inversion
06:37
2.3.1 The Two-Terminal MOS Structure – Weak Inversion
09:42
2.3.2 The Two-Terminal MOS Structure – Small-Signal Capacitance
13:37
2.4.1 The Three-Terminal MOS Structure – Part 1
14:33
2.4.2 The Three-Terminal MOS Structure – Part 2
17:40
3.1 Introduction
15:34
3.2.1 Complete All-Region Model
14:36
3.2.2 Simplified All-Region Models
11:09
3.3.1 Strong Inversion Models – 1
10:36
3.3.2 Strong Inversion Models – 2
01:58
4.1 Strong Inversion Models
15:13
4.2.1 Weak Inversion Models
13:49
4.2.2 Source Reference vs. Body Reference
06:43
4.3 Effective Mobility
20:54
4.4 Additional Topics
19:39
5.1 Small-Dimension Effects - Velocity Saturation
18:55
5.2 Small-Dimension Effects – Channel Length Modulation
15:44
5.3 Small-Dimension Effects - Charge Sharing
25:33
5.4.1 Small-Dimension Effects – Drain-Induced Barrier Lowering
13:31
5.4.2 Small-Dimension Effects – Combining Several Effects Into One Model
07:20
5.5.1 Small-Dimension Effects – Hot Carrier Effects
13:30
5.5.2 Small-Dimension Effects - Velocity Overshoot and Ballistic Operation
06:53
5.6 Small-Dimension Effects - Polysilicon Depletion
14:17
6.1.1 Small-Dimension Effects - Quantum-Mechanical Effects; Gate Current
16:18
6.1.2 Small-Dimension Effects – Junction Leakage
11:32
6.2.1 Small-Dimension Effects - Scaling and New Technologies
09:49
6.2.2 Modeling for Circuit Simulation – Approaches and Properties of Good Models
11:53
6.2.3 Modeling for Circuit Simulation – Model Formulation Considerations
06:49
6.3.1 Modeling for Circuit Simulation – Parameter Extraction 1
09:07
6.3.2 Modeling for Circuit Simulation – Parameter Extraction 2
16:22
6.4.1 Modeling for Circuit Simulation – Representative Compact Models
05:15
6.4.2 Modeling for Circuit Simulation – Benchmark Tests
04:49
7.1.1 Large-Signal Dynamic Operation – Quasi-Static Operation
10:05
7.1.2 Large-Signal Dynamic Operation – Terminal Currents in QS Operation
10:53
7.1.3 Large-Signal Dynamic Operation – Charging Currents in QS Operation
04:31
7.2.1 Large-Signal Dynamic Operation – Evaluation of Charges
09:24
7.2.2 Large-Signal Dynamic Operation – Transit Time
05:23
7.2.3 Large-Signal Dynamic Operation – Transient Response Using QS Modeling
13:02
7.3.1 Large-Signal Dynamic Operation – Non-Quasi-Static Operation
13:48
7.3.2 Large-Signal Dynamic Operation – Extrinsic Parasitics
09:39
8.1.1 Small-Signal Modeling – Conductance Parameter Definitions and Equivalent C
11:12
8.1.2 Small-Signal Modeling – Conductance Parameters Due to Gate and Body Leakag
06:59
8.2 Small-Signal Modeling –Transconductance
19:31
8.3.1 Small-Signal Modeling – Source-Drain and Output Conductance
16:43
8.3.2 Small-Signal Modeling – Capacitance Definitions and Equivalent Circuits
08:29
8.4 Small-Signal Modeling – Capacitance Evaluation and Properties
20:43
9.1.1 Small-Signal Modeling – Complete Capacitance Parameter Set
11:21
9.1.2 Small-Signal Modeling – Complete Quasi-Static Model
14:46
9.2.1 Small-Signal Modeling – y-Parameter Model
11:54
9.2.2 Small-Signal Modeling – Non-Quasi-Static Model
15:10
9.3.1 Small-Signal Modeling – Model Comparison
09:38
9.3.2 Small-Signal Modeling – RF Models
12:18
10.1.1 Noise - Introduction
07:36
10.1.2 Noise - Thermal Noise
16:59
10.2.1 Noise - High-Frequency Considerations
05:04
10.2.2 Noise - Flicker Noise
12:58
10.3.1 Ion Implantation – Threshold Adjust Implant
19:18
10.3.2 Halo Implants
06:58
10.3.3 Well Proximity Effect
04:24
10.4.1 Stress Effects
04:24
10.4.2 Statistical Variability
22:14
10.4.3 Epilogue
01:50

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