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【公开课】半导体器件物理I - 西安电子科技大学（半导体物理与器件）

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2019-12-24 14:49:16
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https://www.icourse163.org/course/XIDIAN-1206896809 半导体器件物理II：BV1Tc411h7JX （或进我收藏夹->半导体（器件）物理及固体物理） 本课程的特点是针对芯片设计要求介绍半导体器件物理，既讲解半导体器件工作原理和基本理论，同时针对芯片设计的需求，介绍器件版图设计、工艺对器件特性的影响、以及进行电路模拟仿真离不开的器件模型和模型参数的内容，为从事芯片设计奠定必要的基础，这是本课程的特点和亮点，因此本课程也可以称为“集成器件电子学”。
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迷茫时，夸克AI就是那个指路明灯！
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1-1 平衡pn结定性分析2
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1-1 平衡pn结定性分析3
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1-3 理想pn结直流伏安特性1
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1-3 理想pn结直流伏安特性2
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1-3 理想pn结直流伏安特性3
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1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离1
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1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离2
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1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离3
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1-5 pn结击穿1
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1-5 pn结击穿2
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1-5 pn结击穿3
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1-5 pn结击穿4
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1-6 pn结交流小信号特性1
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1-6 pn结交流小信号特性2
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1-6 pn结交流小信号特性3
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1-6 pn结交流小信号特性4
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1-6 pn结交流小信号特性5
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1-7 pn结瞬态特性1
14:47
1-7 pn结瞬态特性2
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1-8 pn结模型和模型参数1
16:25
1-8 pn结模型和模型参数2
11:15
1-8 pn结模型和模型参数3
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1-8 pn结模型和模型参数4
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2-1 BJT直流放大原理定性分析1
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2-1 BJT直流放大原理定性分析2
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2-1 BJT直流放大原理定性分析3
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2-1 BJT直流放大原理定性分析4
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2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析1
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2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析2
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2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析3
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2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析4
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2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析5
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2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析6
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2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析7
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2-3 影响BJT直流电流放大系数的非理想因素1
15:24
2-3 影响BJT直流电流放大系数的非理想因素2
15:01
3-1 BJT频率特性参数
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3-2 共基极α频率特性定量分析β1
11:00
3-2 共基极α频率特性定量分析β2
12:25
3-2 共基极α频率特性定量分析β3
07:14
3-2 共基极α频率特性定量分析β4
09:07
3-3 共射极电流放大系数β与特征频率1
09:25
3-3 共射极电流放大系数β与特征频率2
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4-1 基区电阻
09:49
4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计1
08:14
4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计2
12:48
4-3 BJT的击穿电压与外延层参数的确定1
12:55
4-3 BJT的击穿电压与外延层参数的确定2
09:45
4-3 BJT的击穿电压与外延层参数的确定3
06:33
4-3 BJT的击穿电压与外延层参数的确定4
10:12
4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区1
13:43
4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区2
10:45
5-1 BJT的开关作用1
15:41
5-1 BJT的开关作用2
08:23
5-2 BJT的开关过程分析1
08:28
5-2 BJT的开关过程分析2
09:21
5-3 BJT的开关参数1
12:38
5-3 BJT的开关参数2
14:43
6-1 E-M模型1
12:48
6-1 E-M模型2
06:48
6-1 E-M模型3
09:49
6-2 BJT版图1
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6-2 BJT版图2
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