【公开课】微电子器件 - 电子科技大学（半导体器件物理）
https://www.icourse163.org/course/UESTC-1002339005
本课程是“电子科学与技术”与“集成电路设计与集成系统”专业的一门专业主干课，目的是使学生掌握二极管、双极型晶体管与MOS场效应晶体管的基本原理和工作特性。这些内容是微电子技术领域的工程师所必须掌握的。本课程的先修课程是“半导体物理”。本课程是晶体管设计与模拟、集成电路原理、微电子工艺、集成电路制造工艺等有关的课程的先修课程。
视频选集
（1/66）
1 半导体器件基本方程
09:27
2.1.1 PN结的基本知识
05:01
2.1.2 突变结空间电荷区和内建电势
14:08
2.2.1突变结的电荷区的电场分布和宽度
09:05
2.2.2 单边突变结的电荷区的电场分布和宽度
05:24
2.3.1 平衡状态下PN结的能带图
06:43
2.3.2 平衡PN结的空间电荷区载流子分布
05:03
2.4.1 平衡时载流子运动
05:42
2.4.2 外加正向偏压下载流子运动
06:00
2.4.3 外加反向偏压下载流子运动
04:32
2.5.1 理想PN结直流电流电压特性的求解思路
04:31
2.5.2 外加偏压下少子浓度分布
09:14
2.5.3 扩散电流
06:20
2.6.1 势垒区复合产生电流
03:16
2.6.2 势垒区复合产生电流的计算
07:19
2.7.1 准费米能级
03:16
2.7.2 非平衡态PN结能带图
06:00
2.8.1 大注入下的结定律
06:56
2.8.2 大注入下的自建电场
06:39
2.9.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子
12:44
2.9.2 雪崩击穿电压的计算及其影响因素
09:03
2.9.3 隧道效应与齐纳击穿
04:55
2.10 PN结的势垒电容
08:52
2.11 PN结的扩散电容
04:56
2.12.1 PN结的直流开关特性
05:35
2.12.2 PN结的瞬态开关特性
08:04
2.12.3 PN结的开关时间
05:37
3.1.1 双极型晶体管的结构
08:16
3.1.2 双极型晶体管少子分布
07:06
3.1.3 双极型晶体管能带分布
07:18
3.1.4 双极型晶体管的放大作用
07:55
3.2.1 基区输运系数
10:29
3.2.2 发射结注入效率
09:08
3.2.3 电流放大系数
04:20
3.3.1 缓变基区晶体管的内建电场
10:45
3.3.2 缓变基区晶体管的基区输运系数
09:25
3.3.3缓变基区晶体管的电流放大系数
06:10
3.3.4 非理想情况下的电流放大系数
11:45
3.4.1 集电结和发射结短路电流
08:09
3.4.2 晶体管的直流电流电压方程
03:30
3.4.3 晶体管的输出特性
10:17
3.4.4 厄尔利效应
08:53
3.5.1 反向截止电流
08:39
3.5.2 双极型晶体管的雪崩击穿电压
13:57
3.5.3 基区穿通效应
05:57
3.6 基极电阻
13:26
3.7.1 与频率相关的基本知识
10:34
3.7.2 高频小信号电流的变化
14:33
3.7.3 高频小信号短路电流放大系数
09:15
3.7.4 特征频率
08:09
3.8 高频小信号电流电压方程与等效电路
04:56
3.9 功率增益和最高震荡频率
07:56
4.1.1 MOSFET的基本结构及工作原理
08:51
4.1.2 MOSFET的特性曲线和分类
08:18
4.2.1 MOS结构的阈电压
13:56
4.2.2 MOSFET的阈电压
11:46
4.3.1 非饱和直流电流电压方程
14:05
4.3.2 饱和区特性
04:41
4.4 MOSFET的亚阈区导电
06:21
4.5.1 MOSFET的直流参数及击穿电压
07:14
4.5.2 MOSFET的温度特性
07:54
4.6 MOSFET的小信号交流参数
07:54
4.7.1 小尺寸效应
10:46
4.7.2 迁移率调制效应
09:56
4.7.3 强电场效应
10:01
4.8 MOSFET的发展方向
09:11
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