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【公开课】微电子器件 - 电子科技大学（半导体器件物理）

36.3万

1372

2019-10-25 14:51:22

https://www.icourse163.org/course/UESTC-1002339005 本课程是“电子科学与技术”与“集成电路设计与集成系统”专业的一门专业主干课，目的是使学生掌握二极管、双极型晶体管与MOS场效应晶体管的基本原理和工作特性。这些内容是微电子技术领域的工程师所必须掌握的。本课程的先修课程是“半导体物理”。本课程是晶体管设计与模拟、集成电路原理、微电子工艺、集成电路制造工艺等有关的课程的先修课程。

电子科技大学

半导体器件

微电子器件

微电子与纳电子学发消息

www.bilibili.com/read/cv9038294 关于“微电子与纳电子学”的使用说明及版权声明

千问 AI，一句对话搞定一件事

1 半导体器件基本方程

09:27

2.1.1 PN结的基本知识

05:01

2.1.2 突变结空间电荷区和内建电势

14:08

2.2.1突变结的电荷区的电场分布和宽度

09:05

2.2.2 单边突变结的电荷区的电场分布和宽度

05:24

2.3.1 平衡状态下PN结的能带图

06:43

2.3.2 平衡PN结的空间电荷区载流子分布

05:03

2.4.1 平衡时载流子运动

05:42

2.4.2 外加正向偏压下载流子运动

06:00

2.4.3 外加反向偏压下载流子运动

04:32

2.5.1 理想PN结直流电流电压特性的求解思路

04:31

2.5.2 外加偏压下少子浓度分布

09:14

2.5.3 扩散电流

06:20

2.6.1 势垒区复合产生电流

03:16

2.6.2 势垒区复合产生电流的计算

07:19

2.7.1 准费米能级

03:16

2.7.2 非平衡态PN结能带图

06:00

2.8.1 大注入下的结定律

06:56

2.8.2 大注入下的自建电场

06:39

2.9.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子

12:44

2.9.2 雪崩击穿电压的计算及其影响因素

09:03

2.9.3 隧道效应与齐纳击穿

04:55

2.10 PN结的势垒电容

08:52

2.11 PN结的扩散电容

04:56

2.12.1 PN结的直流开关特性

05:35

2.12.2 PN结的瞬态开关特性

08:04

2.12.3 PN结的开关时间

05:37

3.1.1 双极型晶体管的结构

08:16

3.1.2 双极型晶体管少子分布

07:06

3.1.3 双极型晶体管能带分布

07:18

3.1.4 双极型晶体管的放大作用

07:55

3.2.1 基区输运系数

10:29

3.2.2 发射结注入效率

09:08

3.2.3 电流放大系数

04:20

3.3.1 缓变基区晶体管的内建电场

10:45

3.3.2 缓变基区晶体管的基区输运系数

09:25

3.3.3缓变基区晶体管的电流放大系数

06:10

3.3.4 非理想情况下的电流放大系数

11:45

3.4.1 集电结和发射结短路电流

08:09

3.4.2 晶体管的直流电流电压方程

03:30

3.4.3 晶体管的输出特性

10:17

3.4.4 厄尔利效应

08:53

3.5.1 反向截止电流

08:39

3.5.2 双极型晶体管的雪崩击穿电压

13:57

3.5.3 基区穿通效应

05:57

3.6 基极电阻

13:26

3.7.1 与频率相关的基本知识

10:34

3.7.2 高频小信号电流的变化

14:33

3.7.3 高频小信号短路电流放大系数

09:15

3.7.4 特征频率

08:09

3.8 高频小信号电流电压方程与等效电路

04:56

3.9 功率增益和最高震荡频率

07:56

4.1.1 MOSFET的基本结构及工作原理

08:51

4.1.2 MOSFET的特性曲线和分类

08:18

4.2.1 MOS结构的阈电压

13:56

4.2.2 MOSFET的阈电压

11:46

4.3.1 非饱和直流电流电压方程

14:05

4.3.2 饱和区特性

04:41

4.4 MOSFET的亚阈区导电

06:21

4.5.1 MOSFET的直流参数及击穿电压

07:14

4.5.2 MOSFET的温度特性

07:54

4.6 MOSFET的小信号交流参数

07:54

4.7.1 小尺寸效应

10:46

4.7.2 迁移率调制效应

09:56

4.7.3 强电场效应

10:01

4.8 MOSFET的发展方向

09:11

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