视频选集
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0-2 半导体原件基本构架与类型
10:42
0-3 半导体技术发展走势
06:00
1-2价键与能带
13:24
2-2载流子飘移-2
15:18
2-3 载流子扩散
07:54
2-4载流子产生与复合
11:00
2-5连续方程
18:40
2-7空间电荷与高电场效应
11:34
3-1基本半导体技术
08:28
3-2热平衡状态
12:34
3-3耗尽区与耗尽电容-1
12:16
3-4耗尽区与耗尽电容-2
10:26
3-5 I-V特性-1
16:44
3-6 I-V特性-2
12:11
3-8 结击穿
13:38
4-1 理想MOS电容器-1
18:57
4-2 理想MOS电容器-2
12:05
4-3 SiO2-Si MOS电容器
15:21
4-4绝缘层中的载流子传输与崩溃
05:56
5-2 基本特性操作1
17:36
5-3 基本特性操作2
10:37
5-4 元件类型与起始电压
09:43
5-5短沟道效应
14:06
5-6 元件结构与设计
08:13
6-1 非挥发性半导体存储器简介
03:54
6-2 浮栅概念
20:42
6-3 历史发展
13:01
6-4 NVSM 应用
04:59
6-5 Scaling Challenges
02:57
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