
在讲解今天的主角之前,我们先用 30 秒回忆一下二极管:它对电压的态度,是不对称的。

在整个伏安特性曲线上,特别是在二极管反偏时,我们会发现以下特点:
反压小于一个范围时,近似高阻,只有很小的漏电流;
当反向电压达到一定程度之后,电流会开始较快增大,反压达到一定程度,电流可能无限增大,甚至造成损伤。
那么我们有没有可能利用其反偏时的特性呢?这就是我们今天要介绍的器件:稳压管(齐纳二极管,Zener diode),它恰恰被设计成可以在反向击穿区稳定工作:在一定电流范围内,把两端电压“钉”在一个近似恒定的值上,从而实现稳压、限幅和过压保护等功能。它通常属于功率较小、但在电路里是非常常见、也非常实用的一类器件。
除去不可逆的热击穿,PN节有两种击穿模式:
1、雪崩击穿

在PN结(通常P+N)两端加以较高的反向电压,轻掺杂区当反向电压增加到某以一值时,空间电荷区电场强度增加,从中性区漂移来的载流子获得高动能(被加速)。这些载流子与晶格发生碰撞时传递给晶格的能量高于禁带宽度能量,迫使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而电离一堆新的电子-空穴对。这些刚产生电子-空穴再次被电场加速,再次与其它点阵原子碰撞,产生更多电子空穴对。像雪崩一样倍增,反向电流急剧增大,PN 结单向导电性消失。
2、齐纳击穿

在两侧都是重掺杂的PN结中,即使外加反向电压增加,空间电荷区很难展宽,没有足够的距离使载流子在电场下加速以获得足够的动能,没有雪崩发生。当电场到达一定强度时(高于107 v/m),点阵原子直接电离,价带电子直接进入N区。
稳压管就是利用这两种击穿现象工作的器件。

反向特性有一段工作在近似于线性区,也就是图中的 A–B 段。V-A特性基本上是线性,于是人们利用这一原理,做出了稳压管。从而使这一段反向特性尽量陡,这样在一定的电流变化范围内,它的输出电压基本变化很小。
发生击穿后只要能把反向电流限制在一定范围,稳压管不会永久损坏(功耗无法避免)。 稳压管只有小功率,小封装的器件,在电路中用于稳压或限制电压幅值。


我们以 Vishay General Semiconductor 生产的一款玻璃封装系列稳压管为例,观察它的电气参数,我们可以发现两个问题:
稳压值标称值有一个范围的,同一厂家,同一型号,同一批次的的产品,稳压值可能有偏差。稳压管不适合作为那种对电压基准要求非常高的场合。
在不同的温度下5V的的管子,温度系数变化是最低的,在5V这个点,正好是齐纳击穿的负温度系数,与雪崩击穿的正温度系数效应相抵消之处。所示此处稳压值随温度变化是最平缓。

上图的这两张图,实际上是一张图,它表示同一个系列产品,当你的稳压值越高的时候,由于受他的散热条件的限制,器件所允许的最大的电流值是逐渐下降的,即稳压值越高的产品,其允许的工作电流就越低,这是功耗与散热条件决定的。

上图则说明了稳压管寄生电容的影响,因为稳压管不是大功率产品,内部没有很大的导电平面,所以其电容很小,不用重点关注。有时为了保证输出稳定,还需要外加并联电容。
设计稳压管电路时,需要时刻记得:
稳压值有分散性,精确度受限制
必需使用串联电阻,保证 IZmin < I < IZmax,保证稳压管工作在稳定的击穿状态
稳压管寄生电容较小,如果需要可并联电容消除噪音
不推荐稳压管并联使用
优选5V的器件。在实际电路中可以用一个低于5V,和一个高于5V的稳压管串联使用,利用其温度系数的特点,使得温度系数的影响正负相抵消,减小温度漂移以提高稳定性
稳压管虽小,却在电子设备中扮演着至关重要的角色。它不声不响,却确保了你的设备在各种环境下都能稳定工作。你是否在电路设计中使用过齐纳二极管?它为你解决了哪些问题?欢迎在评论区分享你的经验!
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