由于网上没什么资料，全靠研究手册来手搓代码确实比较辛苦。

初步实现了双线方式读写控制CH32V203的RAM空间。

RISC-V的调试组件比ARM的M内核的调试组件复杂，麻烦就麻烦在他这个读写RAM空间，要在指令缓存里面做控制代码

ARM的那个M内核，直接给总线地址，AP, DP寄存器就可以方便的控制访问了。

剩下开始针对每个系列的Flash编程，配套专门的算法来实现，沁恒早期的MRS里面的openocd里面有一点实现，现在的新版已经不再开源了，不过好的地方是手册里面给了操作说明了，可以实现搞下