第八代 BiCS FLASH™ 技术

带来性能与能效双重提升

铠侠宣布采用四级单元（QLC）技术的通用闪存（1）（UFS）4.1 版嵌入式闪存设备已开始送样。新设备采用铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术，专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计。

与传统的 TLC UFS 相比，QLC UFS 具有更高位密度，使其适用于需要更高存储容量的移动应用。此外，控制技术和纠错技术的进步还使 QLC 技术保持了有竞争力的性能。

基于这些技术进步，新设备实现了显著的性能提升（2）。与上一代产品（UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS）（3）相比，铠侠 QLC UFS 的顺序写入速度提升了 25%，随机读取速度提升了 90%，随机写入速度提升了 95%。此外，写入放大系数（WAF）也得到显著改善，最高可达 3.5 倍（在禁用 WriteBooster 的情况下）。

铠侠 QLC UFS 不仅非常适合智能手机和平板电脑，还支持对容量和性能有更高要求的新兴产品类别，包括 PC、网络设备、AR/VR、IoT 以及支持 AI 的设备。

新的 UFS 4.1 设备提供 512GB 和 1TB 两种容量，在符合 JEDEC 标准的封装中结合了铠侠先进的 BiCS FLASH™ 3D 闪存和集成控制器。铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存搭载了突破性的 CBA（外围电路直接键合到存储阵列）架构。

主要特性包括：

· 符合 UFS 4.1 规范，UFS 4.1 还向下兼容 UFS 4.0 和 UFS 3.1。

· 采用铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存。

· 支持 WriteBooster，可显著提升写入速度。

· 封装尺寸较上一代 QLC UFS 缩小：由 11×13 mm 减至 9×13 mm。