长江存储科技的目标是在2026年前实现掌握15%的市场份额（湖北省武汉市）2025年，长江存储在全球NAND出货量中的份额在第一季度首次突破10%，第三季度进一步攀升至13%，直逼全球第四的美国美光科技。湖北省领导专程调研，肯定长江存储已成为全球存储产业中“不可忽视的中国力量”，一场围绕供应链自主的深刻变革正在中国存储产业内部发生。“没想到技术水平提高到这种程度。”一家竞争对手企业的技术人员对长江存储在2025年初量产的新型存储半导体感到惊讶。其堆叠层数达到约270层，技术已接近韩国三星电子。

注：数据为2025 年 7-9 月，以销量为准，四舍五入后合计非 100，来源 Counterpoint

2025年，长江存储在全球NAND出货量中的份额在第一季度首次突破10%，第三季度进一步攀升至13%，直逼全球第四的美国美光科技。

技术追赶与市场份额提升同步发生，成为这家中国存储龙头2025年的主旋律。当行业关注点仍停留在其2023年推出的232层芯片时，长江存储已在2026年初展现出更宏大的产发行业震动。

但直到2025年，这一技术突破才真正转化为市场影响力。2025年1-3月，长江存储在全球NAND出货量中的份额首次达到10%，这是中国存储企业的一个重要里程碑。

到2025年79月，这一数字进一步增长至13%，在全球市场上已可与传统巨头正面竞争。按销量计算，长江存储已跻身全球前四，仅次于三星、SK海力士和美光。

与份额增长同步的是技术的持续迭代。在232层芯片量产后，长江存储已将堆叠层数提升至约270层，进一步缩小了与三星等领先企业的技术差距。

自主研发的Xtacking架构是长江存储实现技术赶超的关键。该架构通过垂直分离存储单元与外围电路，实现了效率与密度的双重提升，为更高层数的堆叠提供了技术基础。

01

国产化产线进入关键阶段

自2022年底被美国列入实体清单后，长江存储获取先进晶圆制造设备的能力受到极大限制。这一外部压力反而加速了其设备国产化的进程。

据摩根士丹利估计，长江存储的设备国产化率已达到45%，远超中芯国际、华虹等国内其他主要晶圆厂的平均水平。

2025年下半年，长江存储在武汉建设的首条完全使用国产设备的试验生产线开始试生产。这条产线被视为中国在减少对外国半导体生产设备依赖目标上的重要一步。

长江存储的国内供应商包括中微公司（蚀刻工具）、北方华创（蚀刻、CVD工具）和拓荆科技等。这些国内设备厂商在蚀刻和沉积工具领域已达到世界一流水平。

不过，在光刻等关键领域，中国仍存在明显差距。上海微电子装备目前能量产的光刻设备主要用于90纳米工艺技术。

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政策加持与市场认可

2025年11月底，湖北省委书记王忠林专程调研长江存储并主持召开座谈会。王忠林在调研中明确表示，长江存储是国家重大生产力布局的“国之重器”，要求保障项目早建成早达效。

此次调研释放了强有力的政策信号。王忠林提出，要以长江存储为核心，打造世界级存算一体化产业基地，并围绕其加强以链招商，带动形成万亿级集成电路产业集群。

在市场端，长江存储同样获得了实质性认可。调查公司TechInsights的数据显示，中国生产的NAND比其他国家生产的便宜1-2成左右。这一价格优势正在转化为市场份额。

尽管面临地缘政治压力，长江存储在中国市场的份额持续增长。该公司已占中国NAND消费量的约30%，并在中国品牌的笔记本电脑和智能手机中获得越来越多的采用。

03

三期扩产与未来目标

2025年9月，长存三期公司正式成立，注册资本高达207.2亿元，大股东为长江存储科技有限责任公司。这一动作标志着长江存储规划已久的三期扩产项目进入实施阶段。

据《电子时报》报道，长江存储计划到2026年底将全球市场份额提升至15%。考虑到目前其全球市场份额约为8.1%，这意味着在未来一年多时间里，份额需要实现近一倍的提升。

产能方面，长江存储计划在2025年实现每月约15万片晶圆的产能。截至目前，其产能已接近每月13万片晶圆，约占全球产能的8%。

三期项目现场，王忠林要求长江存储牢记“勇攀世界半导体存储科技高峰”的嘱托，紧抓当前AI大模型与云计算爆发带来的存储芯片需求激增机遇。

2025年，长江存储在中国市场的份额已达到30%左右，全球出货量份额则首次突破10%。当全球NAND市场因AI服务器需求激增而出现供不应求时，长江存储已准备好抓住这轮行业机遇。

湖北省领导在调研中明确表示，要围绕长江存储打造万亿级集成电路产业集群，助力武汉建设“世界存储之都”。

长江存储计划扩大产能， 目标2026年末占据全球15%的NAND闪存产量

今年初有报道称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。传闻三星从今年下半年开始量产的第10代V-NAND闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。

据DigiTimes报道，自2022年末以来，长江存储一直在美国商务部的实体清单上，一定程度上影响了其技术的研发和产能的扩张。尽管受到制裁和限制，但是长江存储依然在技术上实现了突破，接下来就是要扩大产能，目标是到2026年末，占据全球15%的NAND闪存产量。另外长江存储还计划建设一条试生产线，专门使用国产晶圆制造工具。 与其他全球NAND闪存供应商不同，由于需求疲软和价格压力，都在削减产量和投资，而长江存储走在相反的道路上。根据统计，2024年末长江存储的产能为每月13万片晶圆，约占全球NAND闪存产量的8%。虽然长江存储在设备采购上有诸多限制，但是今年仍计划将产能提高到每月15万片晶圆。至于到2026年末是否能实现市场份额接近翻倍的目标，还有待观察。 除了拥有3600MT/s接口速率的1TB 3D TLC X4-9070旗舰产品外，长江存储还计划今年晚些时候发布定位相对低一些的3D QLC X4-6080，暂时还不清楚层数，有可能仍然是294层。明年长江存储准备带来2TB 3D TLC X5-9080，以及4800MT/s接口速率的3D QLC X5-6080。长江存储下一代技术节点可能超过300层，可能需要将三个3D NAND粘合在一起。

国内NAND巨头长江存储正迈向100%设备本土化

作者 | 方文三

图片来源 |  网 络 

207亿三期工厂，全国产线的野心与挑战

2025年9月，长江存储三期（武汉）集成电路有限责任公司正式注册成立，注册资本高达207.2亿元，明确提出[100%使用国产半导体设备]的目标。

目前长存总产能月约14万片/月，占全球3D NAND市场份额约12%，根据历史环评信息，长江存储规划产能为30万片/月，项目分三期建设，每期产能为10万片/月。‌

2023年长江存储武汉二期工厂投产后，产能提升至全球第三。

此次长存三期（武汉）集成电路有限责任公司的成立，与此前长江存储的扩产动作一脉相承，进一步推动其先进制程研发与产能扩张。

长江存储三期工厂的落地，将国产化从部分替代推向全面自主的新阶段，但这条道路上仍布满荆棘。

从规划来看，三期工厂的[野心]显而易见，月产能10万片，2026年投产后总产能将达30万片/月，对应全球NAND产能占比将从当前的8%提升至15%。

这意味着中国将在全球存储市场中拥有[定价影响力]，要知道，全球NAND市场长期被三星（32.9%）、SK海力士（21.1%）、铠侠（13.5%）、美光（13.3%）垄断。

前五大厂商合计占比超92%，长江存储若实现15%份额，将成为全球第四大NAND供应商，直接改写市场格局。

更关键的是，三期工厂将成为[全国产设备的试验田]，目前长江存储已与北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科等国产设备商达成深度合作。

但[100%国产化]的目标，仍面临三大核心挑战。

①良率与成本的平衡：当前国产设备的初始良率比国际大厂低15-20%，设备单价却高30%。

以一条10万片/月的产线为例，设备投资约225亿元，仅刻蚀设备就需50-60亿元，若良率无法快速提升，单瓦成本将显著高于三星、美光。

②设备兼容性与稳定性：集成电路制造涉及九大类核心设备，需实现无缝协同。

国产设备虽在单点突破，但不同厂商设备间的工艺适配、长期稳定性仍需磨合，从试产到稳定量产，分析师预计至少需要3-5年周期。

③光刻设备的瓶颈：尽管刻蚀、沉积等环节国产化率已超30%，但光刻设备仍是短板。

2024年国产光刻设备国产化率仅0-1%，上海微电子的ArF光刻机虽已实现90nm制程突破，但与ASML的EUV光刻机仍有代差，这可能限制长江存储向更高层数的突破。

摩根士丹利的报告指出，45%的国产化率已让长江存储远超行业平均，但100%国产化仍超出当前中国芯片制造商的能力范围。

这种审慎的判断，恰恰说明长江存储的突围并非一蹴而就，而是一场需要耐心的持久战。

制裁下的绝境，从产能腰斩到国产化破局

长江存储的国产化之路，从一开始就带着被迫的底色。

作为中国唯一实现3D NAND闪存量产的企业，长江存储自2016年成立起就承载着打破美日韩垄断的使命。

2021年时，其国产设备使用率已达16.3%，甚至率先采购了首台国产KrF光刻机，成为国内晶圆厂中推进国产化最激进的玩家。

但彼时的它，仍高度依赖LAM的刻蚀机、ASML的光刻机等海外设备，仅美国设备在其采购占比中就达43.44%，美日荷三国设备合计占比超76%。

2022年的制裁，直接掐住了长江存储的[咽喉]，不仅新设备采购通道被切断，连现有设备的维修零部件都面临禁运。

更严峻的是，3D NAND制造中最核心的高深宽比刻蚀工艺，当时几乎完全依赖LAM刻蚀机，这直接导致232层NAND一度难产。

绝境之下，全面国产化从备选方案变成了唯一出路。

长江存储迅速与国内设备厂商组建[攻坚联盟]，从光刻、刻蚀到薄膜沉积、清洗，逐个突破工艺环节的设备替代。

到2024年，其设备国产化率已飙升至45%，远超中芯国际荆城晶圆厂22%、临港晶圆厂18%的水平，成为国内国产化率最高的晶圆厂。

这种破局并非偶然，数据显示，2024年全球半导体设备市场规模1171.4亿美元，中国占比超4成（495.5亿美元），但多数环节国产化率仍低于20%，光刻设备0-1%、量检测设备1-10%、涂胶显影5-10%。

技术王牌Xtacking，成竞争的[话语权武器]

长江存储在2018年推出的Xtacking架构，直接颠覆了这一逻辑，这种技术创新，让长江存储在全球市场中站稳了脚跟。

Tech Insights的产线纵切面分析显示，从128层开始，长江存储的单位存储密度就一直占据同层数产品的[纵向最高点]。

2023年推出的232层TLC芯片X4-9070，通过双层堆叠实现294层等效密度，接口速度达3600MT/s，性能比肩三星、SK海力士的旗舰产品。

2025年量产的Xtacking 4.0架构，更是斩获FMS 2025[最具创新存储技术奖]。

更具标志性的是，2025年三星主动与长江存储签署[混合键合专利授权协议]，为了推进400层以上NAND的研发，这家全球存储巨头不得不向中国企业支付专利费。

截至2025年，长江存储的专利申请总量已超1.2万件，其中国际专利5800余项，95%为发明专利。

这些专利不仅是技术壁垒，更成为中国半导体企业在全球竞争中的[话语权武器]。

供应链协同，一群中国企业的[集体逆袭]

在设备领域，北方华创已成长为全球第六大半导体设备厂商，其PVD、CVD设备不仅覆盖长江存储全产线，还进入中芯国际、长鑫存储的供应链。

中微公司的等离子刻蚀机更是打破国际垄断，被台积电用于5nm制程产线，技术水平跻身全球顶尖。

盛美上海的清洗设备、中科飞测的量测设备，也在长江存储的产线上实现规模化应用，逐步替代KLA的海外设备。

在材料领域，安集科技的CMP抛光液覆盖长江存储12英寸3D NAND产线，14nm以下先进制程抛光液已实现突破。

雅克科技成为国内少数具备NAND/DRAM全栈能力的材料商，前驱体产品直接供应长江存储。

就连此前高度依赖进口的大硅片，也有沪硅产业、立昂微等企业突破12英寸晶圆量产，虽然国产化率仅30%，但已能满足中低端产线需求。

这种协同效应正在形成正向循环，长江存储的订单让国产设备商获得研发资金，加速技术迭代；迭代后的设备又反哺长江存储，提升其产线效率与产品竞争力。

结尾：中国半导体的正向循环与未来

长江存储的实践证明，通过[企业牵引+产业链协同+政策支持]，中国完全有能力构建自主的半导体生态。

对国产设备商而言，长江存储的产线成为[技术练兵场]，北方华创、中微公司等企业通过量产验证，技术水平快速提升，甚至开始出海。

2025年北方华创的海外订单同比增长50%，中微公司的刻蚀机进入台积电供应链，打破了海外厂商的垄断。

对下游应用而言，长江存储的存在让中国企业摆脱了[存储颗粒卡脖子]的风险。

AI服务器、智能手机、汽车电子等领域的国产厂商，终于有了[自主可控]的存储选择，降低了供应链波动带来的风险。

对整个产业而言，长江存储的突围形成了正向循环：国产设备出货量提升→研发成本摊薄→技术迭代加速→更多晶圆厂采用国产设备→进一步扩大市场份额。

这种循环一旦形成，将彻底改变中国半导体产业的被动局面。

部分资料参考：芯光小栈：《100%国产设备：长存的黎明将至》，科技专家：《长江存储，要采用全国产设备，生产芯片了》，半导体设备资讯站：《长江存储第三工厂，将全线国产设备》，认知的另一面：《1600亿独角兽股改完成，产业链核心标的受益明确》，投资有道杂志：《长江存储打开IPO想象空间，8公司抢着攀关系，[含长量]参差不齐》，龙科多（龙芯网宣）：《老美万万没想到，长江存储搞出了全国产化产线》