人工智能大模型、AIGC、云端游戏、远程协作等海量应用，对存储应用提出了更高的要求，同时高速稳定且能够兼顾成本已经成为数据中心建设的焦点。如何应对快速变化的市场环境，高效存储应用又应该如何应对，锁定9月3日至9月4日位于北京国际会议中心的2024开放数据中心大会（ODCC 2024）铠侠展台，共同展望未来存储新趋势。

加速进入AI时代

AI应用的井喷式发展加速了存储行业的升级，仅依靠DRAM和HBM无法满足海量数据交换的需求，基于PCIe 5.0的SSD成为未来必然趋势之一，特别是现阶段PCIe已经成为行业内硬件沟通的重要桥梁，显卡、加速器、网卡、固态硬盘以及其他PCIe设备的数据量随着时间推移只会不断增加。让PCIe总线保证足够的带宽、供电也成为了不断追求的目标。在PCIe新标准的推动下，用户可以定制更快的高速硬件产品，从而让产品获得更大的收益。

从SATA到PCIe® 3.0，PCIe® 4.0再到当下的PCIe® 5.0，无论是主板元器件设计还是存储产品升级都已经发生了重大的变化。以铠侠CM7系列为例，不仅领先提供了对PCIe® 5.0和NVMe™ 2.0支持，并已经充足释放PCIe® 5.0性能的产品，最大容量同样也达到了30.72TB。拥有高吞吐量和高密度存储的性能表现，非常适合大模型计算，大数据，深度学习加速、AIGC等人工智能应用场景。

在传输带宽升级的同时，铠侠也专注前瞻性产品发展，企业与数据中心标准外形规格（EDSFF）正是其中之一，通过物理尺寸、散热、性能、布局、安装便捷性等特性优化，进而达到更好的效果。

铠侠CM7系列和铠侠CD8P系列均推出了EDSFF E3.S规格的产品，其中铠侠CD8P同样支持PCIe® 5.0和NVMe™ 2.0，具备12,000MB/s顺序读取性能和 2000K IOPS的4K随机读取能力，在能耗与应用性能表现之间做到很好的平衡，为数据中心和企业级用户提供合理的扩容选择。

除此之外，在ODCC现场，铠侠还将上展出SAS双端口PM7系列，面向数据中心PCie 4.0的CD8系列，以及可用于终端和启动盘的BG6系列和XG8系列等产品。 

引领存储新趋势

随着铠侠第八代BiCS蓄势待发，未来存储也将近在咫尺。218层的3D闪存采用创新的横向微缩技术，为4 Plane的1Tb TLC和QLC，带来超过50%的位密度提升。其中QLC SSD技术已经为投入商用领域做好了准备，能以更好的性能表现，与更好的成本控制，替代现有的HDD存储。

第八代BiCS FLASH的最大特点是导入了“CBA（CMOS directly Bonded to Array）”架构。该项技术使用不同的晶圆来制作负责存储单元控制的CMOS电路与存储单元阵列，并且将存储单元阵列侧的晶圆进行翻转后再将两枚晶圆粘贴在一起。

与上一代的CUA（CMOS Under Array）架构不同，CBA架构可以使用最佳的制造工艺来分别制作CMOS电路用晶圆和存储单元用晶圆。这样，由于只需要对存储单元阵列的晶圆进行高温处理，因此能够在不考虑对CMOS电路造成影响的情况下，采用能够确保可靠性的必要温度进行热处理。通过将两种晶圆的制造工艺加以区分，可以最大限度地发挥CMOS电路和存储单元的性能。不仅如此，采用堆叠2种不同晶圆的制作工艺具有能够缩短生产时间的优点。

第八代BiCS FLASH大幅度提高了密度程度和性能，3.6Gbps的接口速度为PCIe 5.0以及未来的接口提供了强大的性能保障，进一步提升数据中心的效率。

从SAS到PCIe，从XL-FLASH到TLC、QLC存储技术，铠侠已经为数据中心存储准备了大量的产品和技术积累，并积极推动全新第八代BiCS的量产落地，为数据中心客户提供更为多样性、高性能、高可靠的选择。更多详情，可在9月3日至9月4日，前往北京国际会议中心“2024开放数据中心大会（ODCC 2024）”铠侠展台参观，与铠侠共同探讨未来存储发展。