由于制造上的工艺的偏差(掺杂浓度、扩散深度刻蚀程度、)，mask或wafer上每个载流子的漂移速度是不一致的，为保证器件的性能，需要将器件波动的范围控制在一定范围内，设计者根据晶体管的波动速度，定义了五个process corner，如图，其思想是：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是：快NFET和快 PFET，慢NFET和慢PFET，快NFET和慢PFET，慢NFET和快PFET
corner分析的意义：
由于工艺在制作过程中会有偏差，而corner是对产线正常波动的预估，FAB也会对量产芯片的corner验证有所要求。所以在设计阶段就要满足corner，在各种corner和极限温度条件下对电路进行仿真，使其在各种corner上都能正常工作，才能使最终生产出的芯片良率高
PVT (process, voltage, temperature)
设计除了要满足上述5个corner外，还需要满足电压与温度等条件, 形成的组合称为PVT (process, voltage, temperature) 条件
MOS器件的两个关键参数，vth和ids，如果要使你的电路风险最小，电路要有足够的裕度，所有的PVT（process、voltage、temperature）组合仿真都通过，process是5个 tt ss ff fnsp snfp ，一般情况下最差的情况就是ss 、最高温度、最低电压，如果这种情况能够仿真通过，那么这个电路就基本没问题了
备注：
experience
1、MOS管的快慢分别指阈值电压的高低，快速对应阈值低，慢速对应阈值高。GBW=GM/CC ，其它条件相同情况下，vth越低，gm值越高，因此GBW越大，速度越快。【具体情况具体分析】
2、电阻的快慢。fast对应的是方块电阻小，slow对应的是方块电阻大。
3、电容的快慢。fast对应的是电容最小，slow对应的是容值最大。