TMS320F28035使用学习系列分享（一）程序烧录配置RAM & FLASH

Frank-Zheng

2022年01月08日 15:27

收录于文集

共2篇

开发平台：CCS10, C2000Ware_4_00_00_00

使用芯片：TMS320F28035PNS

烧写到RAM和烧写到FLASH 的配置有些许不同。主要区别在于.cmd文件。

烧写到FLASH的需求是当烧写到RAM 之后，掉电之后，程序不会保存在MCU中。如果需要程度掉电后再上电时能够继续存在，就需要把程序烧写到FLASH之中去。

1. 烧写至RAM

1）采用RAM烧写时，需要选择28035_RAM_Ink.cmd。方法如下：

图1 在project->properties 中配置28035_RAM_Ink.cmd

2）对28035_RAM_Ink.cmd 中进行修改，在28035_RAM_lnk.cmd 中找到如下文段：

图2 原文件

删去一些部分，修改成如下

图3 修改后（这里建议最好时用注释的方法进行操作）

完成上述操作之后，就可以进行烧写和调试。

2. 烧写到FLASH

1）首先要进行F28035.cmd文件的选择，选择如下：

图4 project->properties 中配置28035.cmd

2）修改F28035.cmd的内容

图5 F28035.cmd内容的修改

3）还需要在main.c中添加：

 代码块
clike
自动换行
复制代码
#include &amp;lt;string.h&amp;gt;
#include &amp;lt;stdint.h&amp;gt;
extern Uint16 RamfuncsLoadStart;
extern Uint16 RamfuncsLoadSize;
extern Uint16 RamfuncsRunStart;复制成功

同时，在main主函数的InitPieVectTable();之后添加以下代码。

 代码块
clike
自动换行
复制代码
memcpy((uint16_t *)&amp;amp;RamfuncsRunStart,(uint16_t *)&amp;amp;RamfuncsLoadStart,(unsigned long)&amp;amp;RamfuncsLoadSize);
InitFlash();复制成功

NOTE:

1）此外，在官方手册《TMS320x2803x Piccolo Technical Reference Manual》中，提到FLASH模式的硬件引脚配置，建议GPIO37和GPIO34上拉10k电阻到3.3V,TRST引脚下拉10k电阻到GND,当然，你也可以选择用拨码开关进行切换。

图6 官方手册中提到的FLASH模式的引脚配置

2）对于老版本的CCS(有多老我就不确定，以后确定了再补充)，有些教程会使用MemCopy，而不是用的memcpy。我查了一下ti论坛，找到以下帖子：

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/849265/ccs-tms320f28035-memcopy-ramfuncsloadstart-ramfuncsloadend-ramfuncsrunstart-is-right

其中，“Do note that we don't recommend that use of MemCopy. memcpy is now recommended. “,说明了不再推荐使用MemCopy，而推荐使用memcpy。

3） InitFlash()在DSP2803x_SysCtrl.c中，所以要确保你的工程文件夹中存在该文件。

3. 将DELAY_US()延时函数烧写至FLASH

1) 该函数定义在DSP2803x_Examples.h中，函数具体文件为DSP2803x_usDelay.asm，

对于DELAY_US()延时函数，在官方DSP2803x_usDelay.asm 的配置如下:

图7 DSP2803x_usDelay.asm的内容

参考 up主小靜靜紫陌璃的文章的说法，这一步的目的就是指定把ramfuncs放在RAM中运行，这样就解决了程序在Flash中卡死和编译警告的问题。【作者：小靜靜紫陌璃网页链接出处：bilibili】

2）所以不用做额外的修改，可以直接使用DELAY_US()。为了验证在FLASH中是否运行良好。我采用了GPIO口电平翻转实验，每隔100us进行翻转。其中while(1)循环代码如下：

 代码块
clike
自动换行
复制代码
GpioDataRegs.GPBTOGGLE.bit.GPIO39 = 1 ;
DELAY_US(100);复制成功

图8 DELAY_US(100)在FLASHZ中的运行效果图

从实验结果来看，DELAY_US()函数在FLASH中的运行是相当成功的。

对于你想要在RAM中运行的函数，你可以在main.c之前添加以下代码

 代码块
clike
自动换行
复制代码
#pragma CODE_SECTION(XXX, &amp;quot;ramfuncs&amp;quot;);复制成功

其中，xxx就是你想要运行的代码函数名，它可以是中断服务函数等。

参考资料及其关键文段

1. 关于RAM和FLASH运行速度的差别

来自 <https://e2echina.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/17797/delay_us>

首先，ramfuncs段中的内容我们都是要让它在RAM中跑的，里面包含一些flash的初始化设置函数，这些函数必须只能在RAM中运行，还有一些对时间比较敏感的函数，也是需要复制在RAM中运行的，因为RAM的速度远快于flash，我们通常讲的60MHz的执行速度，指的是去RAM的运行速度，flash一般只能跑到1/3的速度。 DELAY_US是1us的延时，它是基于RAM的速度来实现的精确的1us延时，如果把这段代码放在flash，由于flash的初始化等待状态不同，会导致flash执行速度不同，不能精确的得到1us的延时，只能是大于1us。

2. TI C2000 , .cmd文件，.TI.ramfunc，将程序分配为在RAM中运行/Flash运行的配置方法和原理讲解，（如28375S ，280049，28335等等芯片）

来自 <https://www.codeleading.com/article/79925786096/>

3. 细读DSP延时函数DSP28x_usDelay()及解决烧录至FLASH出错的方法

来自 <https://blog.csdn.net/weixin_44387442/article/details/109703582>

4. memCopy()函数的理解

来自 <https://e2echina.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/45022/memcopy>

InitFlash函数对Flash的访问的等待周期等进行设置，主要配置PAGEWAIT，RANDWAIT和OTPWAIT，在对这些寄存器配置之前，都是有默认值的，分别是15、15和32个sysclk，所以没有InitFlash函数并不影响访问Flash空间。谢谢！

5. tms320f28069 程序运行问题

来自 <https://e2echina.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/142909/tms320f28069>

跑不起了，copy在ram里程序执行时间不对，不是代码逻辑的问题，搞定了，主要是注意 copy到ram的函数相应调用的子函数要靠考虑效率，小的函数用 static lnline 声明，大的函数也同样段声明 CODE_SECTION(cpu_timer0_isr, "ramfuncs"); 然后运行时间就对了

TMS320F28035

本文为我原创，未经授权禁止转载

cv14755484

分享至

投诉或建议