“超耐久”是技嘉的广告语，但今天我要说的不是技嘉，而是英特尔。 （顺便说一下，微星也叫“菌龟星”，华硕的特色是“败家国度”“群殴”） 传统上，企业级用的高耐久度SSD一般是SLC闪存的，但是SLC的成本实在太高，那能不能用MLC来代替呢？ 答案是肯定的，很多企业级的SSD已经进入MLC甚至QLC时代，而且英特尔推出了HET技术，HET代表高耐久性技术(High Endurance Technology)，在20nm节点下可以将MLC闪存的PE次数达到10000次，而普通的MLC则是在3000次左右。具体到产品上，1.6TB容量的英特尔DC S3610的总写入量能达到10PB以上，可以说是几乎怎么写都写不坏了。前些天“大船靠岸”，一大批海外来的英特尔企业级SSD“洋垃圾”被网友抢购，网友们用着很开心（可惜就是没保修）。

那HET技术究竟是什么呢？为什么能让 MLC SSD的写入寿命提高到如此程度呢？ 我的猜测就是，HET技术就是写入电压比较低的技术，和闪存本身关系不大。 几个月之前我曾经写过一篇文章来讨论闪存的原理——

闪存写入的原理是量子隧穿效应，电子穿过绝缘层给浮置栅极充电，用电压的高低来表示数据的值，而在写入的过程中绝缘层逐渐被消耗，直至绝缘层消耗完之后闪存失效。SLC只有两种电压状态，用电压的高与低来表示二进制的0与1。而MLC要充更高的电压来表示4种电压（00/01/10/11），因此充电的电压高，绝缘层的损耗比较大，这就是MLC寿命不如SLC的原因。 那HET技术又是怎样的呢？ HET技术的MLC也是4种电压，只不过充的电压比较低，用更低的充电电压来获得更低的绝缘层损耗，闪存依然是一般的MLC闪存，这也就是网友们看拆解图，是否是HET的闪存型号依然相同的原因（见http://bbs.mydigit.cn/simple/?t2430013.html）。 HET技术有什么缺点呢？ 我们都已经了解，闪存是靠给浮置栅极充电来存储数据的，有充电就有漏电，漏电的结果就是丢数据，所以充电更少的HET MLC比普通写入条件下的MLC在断电后更容易丢数据，这或许就是英特尔在读取密集型的S3510上并没有使用HET的原因。不过企业级应用一般都是24小时通电，所以不太担心断电后数据丢失的问题。 但这也提醒了我们个人用户，不要太长时间不给闪存产品通电，尤其是TLC闪存的SSD，否则就会丢数据，甚至全盘数据丢失。所以相对于机械硬盘，固态硬盘在某些情况下也更“娇贵”。

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