1.BJT的基本结构

BJT（双极结型晶体管）也是由PN结构成的器件，我们可以类比MOSFET来学习BJT，下面是npn BJT的剖面图：

BJT也是三端器件，主体部分也是两个背靠背的PN结，我们把BJT的三极分别叫做发射极E(emitter)，基极B（base），集电极C（collector）。根据PN结掺杂类型不同我们将BJT分为npn型和pnp型，本文主要讨论npn型BJT，即基极是p型掺杂，电路中结构如下图：

2.与MOSFET的异同

由于结构的相似性，我们可以类比MOSFET：

在BJT 中，发射极是载流子的源，将载流子注入基区，最终流入集电极；基区的电压（电流）控制有多少载流子可以从发射极流向集电极。

但也有以下两点主要区别

(1)在MOSFET 中，栅压是通过电容结构耦合到沟道，而BJT中，基极与E,C极之间的电流

通路是相连的；

(2)在MOSFET 中的电流是在电场作用下通过漂移从源端到达漏端的，而BJT中，发射极到集电极电流至少有一部分是通过扩散实现的；

3.能带结构

为了简化分析，我们将理想的npnBJT抽象成下图结构：

注：图中集电极被分为了两部分，一部分是n轻掺杂，另外一部分是n+重掺杂，这样做的目的是与金属电极形成欧姆接触，降低接触电阻损耗。

无外加电压时，BJT平衡能带图为：

仍然遵循费米能级的一致性，且由于发射极和集电极都是重掺杂，费米能级移动到与导带底相平。发射极区和集电极区多子是电子，而基区多子是空穴，形成了天然的势垒，因此BJT在不外加电压时，没有电流通过。

当E-B结加正偏电压（使势垒降低），B-C结加反偏电压（使势垒升高）时能带图变为：

考虑一下载流子将如何运动？

由于发射区和基区的势垒降低，发射区的多子电子大量进入基区，由于基区十分窄，一小部分电子与基区多子空穴复合，其他绝大部分电子都顺着B-C结的陡峭的“悬崖”进入了集电极区，形成外部电流。综上，我们可以初步知道电子从左向右运动，所以电流从右向左流动。

小结：本节我们初步认识了BJT，由于也是PN结构成的三极器件，我们可以类比MOSFET来学习BJT，体会基区对发射区电流的控制作用 ；通过能带图，我们对电子的运动有了初步的认识，下一节我们将深入理解BJT的电流机制，并尝试推导BJT的重要参数α和β