英飞凌IGBT7 H7单管系列，作为目前炙手可热的光储应用新星产品，正受到众多玩家的追捧。本期推文为大家贴心整理该系列产品的核心知识大全， 希望大家买得放心，用得顺手~

更全型号选择，总有一款适合你

IGBT7 S7 和 T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。

H7采用最新型微沟槽栅技术, 通过优化元胞结构，极大程度上降低了器件的导通损耗和开关损耗。650V H7芯片开关频率最高可达100kHz，1200V H7芯片最高开关频率可达40kHz，适合追求高效率、低损耗的各种应用。H7 最大电流140A为市场首发，而英飞凌上一代1200V 高速单管Highspeed3 H3的最大电流规格仅为75A。

1200V IGBT7与前代IGBT性能对比

650V IGBT7与前代IGBT性能对比

封装升级，性能更优

 IGBT7 单管系列部分产品采用新的TO-247-3-HCC封装，增加了爬电距离和电气间隙。

非对称TO-247-4p封装IKZA系列，降低了辅助发射极和栅极引脚的宽度，避免焊接时连锡的现象，使安装更容易，可靠性更高。

高可靠性，适用户外场景

IGBT7 单管全系列（T7,S7, H7）在芯片工艺、封装各方面做了优化，具有出色的防潮性能以及抗宇宙射线能力，可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试，特别是HV-H3TRB，符合工业应用标准，因此非常适用于光伏、储能、充电桩等户外的场景应用。

下期将为大家盘点IGBT7 H7 系列

在使用中的常见问题。

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