技嘉b650超频教程、以及问题

醉清风噬心寒

编辑于 2026年02月13日 12:26

本人玩diy 超频已经有很多年头了，以前华硕，华擎，微星，映泰都用过第一次用技嘉和am5平台折腾了一个礼拜，说说超频经验以及遇到的问题，跟ddr4平台和zen3区别还是挺大的。

首先配置情况，7600+技嘉b650m da3+宏碁6000c32（A-DIE，锁电压）

超频的话先超内存，不然之后排查问题起来更加困难和耗费时间（血淋淋的教育，因为cpu电压问题，后面会说到）

超频教程

==============================================================

内存篇

ddr5在zen4架构上，极限超频看主板支持最高的也就6666还得搭配高端板子和cpu内存控制器体质够好，技嘉目前最低端的也支持6400，然后去查了所有b650内存支持的频率，华硕的重炮手有一条6400c30 38 38 76 1.4v的支持列表应该也是adie，那这就是我准备超的目标了。（不太想缩的太极限，费时费力，一般找主板支持列表里最高的频率超）

首先打开expo 选择6000c32频率，接着打开高带宽和低延迟，这里要说一下，低延迟经过我的测试发现并没有什么用但是还是一起开启吧，高带宽模式缩了几个参数，超内存太费时间验证烤机了，自己调第一时序就够了没必要再自己缩小参，除非你真的很闲，正好现在主板厂家都有高带宽模式帮你设定小参，省事多了。

这是开高带宽和不开的区别，（这技嘉bios识别不到内存时序参数，不过又偶尔能看得到，不知道为什么，只能用软件读取）但是注意一点tREFI ，开打高带宽后从12460设置成了46800，这样会导致耐温从85℃下降，这个参数对延迟影响很大，如果是闷罐建议自己按照下面公式修改为标准耐压85℃的3.9ns 。

理论上以1.95ns下，可以提升10℃到95℃，如果按照翻倍提升10℃计算设置成2倍24960的情况下应该能维持75℃，4倍下49920是65℃，最大值65535应该能60℃左右。建议设置安全85℃范围下3.9ns，不然后续烤机报错排除原因难度增大，如果想折腾，在安全3.9ns下过测后，最后再关闭机箱侧板显卡内存双烤尽量提升tREFI。

实测现象又奇怪。以最大65535设置，80℃才报错，耐温上限下降了5℃，但是cl值非常影响温度，当设置6200c28，电压上限1.43v，trefi 最大值和标准值，在62到67℃就会报错。说明ddr5无脑放宽trefi只影响5℃，（ddr4时代bdie直接50℃就会报错，也有可能是adie太厉害了）而过低的cl值没有足够电压支撑非常影响温度上限，所以建议trefi直接设置最大。

6400频率，3.9ns标准是12480

接着倍频设置64，就是6400频率。

flck设置2133（内存的三分之一，实测并不是越高越好。脱钩虽然会能加一点写入。但是读取和延迟有会下降情况）

下面设置ulck＝memck，不同步的话会影响读取和延迟。

关闭powe down enable （此项叫低功耗模式，关闭后可以降低2ns延迟）

关闭gear down modw（这是2.5t模式，关闭后才是跑的真正的1t或者叫cr1）

关闭memoy conext restore（内存训练模式，关闭后系统开机时间增加但是内存更稳定，关闭了powe down enable不关这个可能开机蓝屏）

关闭TSME（内存保护机制，但是会增加延迟），关闭可以降低延迟。

注意:超频失败后这四项会恢复默认值

iommu打开也会略微增加0.5-1ns延迟并且不稳定，不需要使用虚拟机的也建议关闭。

新版bios后关闭第一和第三会让每次开机时间超过3分钟，只能打开了，延迟增加2-3ns。

吐槽下，技嘉bios还是挺难用的，需要自己去找，也不能搜索，bios里找不到BGS和cppc了（cppc现在合并为为pss 了）

接着是zen4影响内存超频的几个电压

注意:下在软件读取到的带vddrc才是真实内部电压，vcore是从供电出来的外部电压，也就是防掉压之前的电压！

《DDR_vdd和DDR_vddq》这就是相当于ddr4时代的内存电压。因为aide照抄时序6400c30时序，统一设置1.4v，我这内存锁电压，技嘉这里可以设置更高但是没用，依旧只有最大1.43v，这点微星做的好，直接不给设置超过1.435v。

《vddp》 DDR 总线信号（PHY）的电压，自动有可能无法6400开机。1.05v能开机，但是跑测试报错，需要设置到1.15v。设置1.2v能提高2 3度iod耐温但是有概率开机内存超频失败。电压源于vddio，不能高于vddio-100mv，这个电压会影响iod耐温下限，推测原因是过低的电压跟umc连接不稳定，当iod温度升高体质变差时更是如此，后面会说到。

7600x极限超频6400同步模式vddp要1.15v，而9600x同样内存只需要0.95v，但是异步8000只需要增加vddp电压，推特9系iod体质更好，6400没压力，不需要增加vddp电压

《soc voltage》为各种 IP 模块（包括但不限于内存控制器、SMU、PSP、图形等）的 SOC 上的多个内部稳压器提供外部电源。VDDCR_SOC 电压必须始终为低于 VDDIO_MEM_S3 + 100mV。默认 VDDCR_SOC 电压为 1.05V。因为新bios锁1.3v了，设置最大1.3v，同时防掉压开最高才能维持1.3v，影响iod耐温上限，flck uclk mclk高频都需要调节它。

soc频率生成fclk（if总线频率）、umc（统一内存控制器频率）

umc生产uclk（内存控制器频率）、mclk（内存频率）

影响fclk电压是vddg 、soc，umc电压是soc 。真正影响频率上限的不是fclk而是umc&uclk。

这里有个关键因素iod的问题，当iod温度上升体质变差，所需要的电压随之提高，以最大6400频率，2166fclk 3200uclk下，本来低温下1.3v够用，温度升高后稳定不住了。验证方法很简单，进行内存烤机，手指停转散热器风扇，看iod多少℃报错。

以我目前上手cpu 7600稳6400（无法6600），7600x 稳6400 ，7900x稳6200（6400只能开机），7950x稳6400（可6600开机）

以7600，当6400，soc1.3v时，设置1.1vddp联动1.2vvddio，iod温度超过58℃就会报错，vddp设置到1.2，耐温能提高的70℃，设置1.15也有66℃耐温只差4℃，但是设置1.2有概率内存超频失败还原默认值，极限超频尽量摸索保证超频稳定情况下提高vddp，当把频率下降到6200并且if和umc同步时，soc电压保持不变，vddp设置1.1v，温度上限都能提高到80℃以上。

另外一颗7600x vddp 1.2v 有概率重启时内存恢复默认最多1.18v，并且即使1.2v iod耐温也只有67℃， 1.15v耐温63℃（差距只有4℃）降6200后，1.1v到了80℃以上也没问题（不过核心过热自动关机了）。

7600的iod比7900x的温度默认要低不少。ccd比iod高了接近20℃，7900xccd和iod温度基本持平，推测7900x要支援2颗ccd，以及2颗ccd给顶盖加热的温度更高分摊到iod上导致，如果那种67℃就会报错的体质在7600上勉强能用，在7900x上可能无法开机。

综上所述soc电压决定iod温度上限，vddp决定iod温度下限，在soc锁在1.3v下后，能6400的已经不多了，就算能跑也有iod温度限制，夏天打游戏显卡温度上来了，iod升温后是稳不住的，只能降6200用。

《vcore soc》中文叫cpu sa是从供电出来防掉压的电压，其实和上面的是一个东西，当soc voltage设置1.3后，vcore soc电压在软件里读取到的是1.35，但是反过来vcore设置1.3，soc设置自动，软件读取的ddcr_soc只有1.2v，（可能是bug）不建议在这里调soc选自动就可以。

《vddg》 Infinity Fabric 总线电压，不能高于vdd_msic-100mv，需要烤机验证，这里自动下为0.95v就行，基本不用动它。

《cpu_vddio_mem》中文叫内存终端电压，以前代表ddr4的电压，在ddr5为 VDDP_DDR 内部稳压器提供外部电源。VDDP 是 DRAM PHY 的电压。通常，VDDIO_MEM_S3 应始终高于 VDDP_DDR + 100mV。。，vddp为1.2v时，vddio 1.3v，需要烤机验证。 9系更新，同步模式6400只需要1.25v 而8000以上可能需要1.45v

注意:cpu vddio和下面的spd vddio不是一个东西

《vdd_msic 》这是辅助电压，给核心和soc以外的其他 PCIe、DP Phy、PLL、ClkGen 和 Pmux 电源供电，也就是主要为vddg供电，不能低于vddg+100mv，自动默认1.1v就够了，内存延迟不正常的情况下+它可以降低延迟。

关于温度对超频内存影响已知有

tref、cl 、vddp 、soc

tref:最大值80℃耐温与标准值85℃有5℃差距

cl: 6200C28 1.43v时，耐温只有62到67。 6200c30 1.35v时，80到85℃耐温。可能是电压不够吃c28导致耐温大幅度下降（我的内存锁电压有待验证）

soc: 当设置6400时，电压1.3v情况下，如果cpu的iod体质不够好，最高上限温度为70℃，6200时，电压1.3v，耐温80以上。

vddp:设置为1.1v时在上述6400频率时iod耐温58，1.15v时65℃，1.2v 70℃，1.25v无法开机，切换6200时，1.1v耐温都80℃以上。

总结

vddp影响高频、iod耐温，建议设置在最高能开机下。设置1.2v

soc影响umc fclk，以及iod耐温，无法高频手动调高它，建议最拉最高1.3v。

vddg影响fclk，flck上不去可以调它，默认0.95就行。

这里要注意的是效率最高的比例

fclk 1:ulck 3:mclk 3（脱钩会增加延迟）

umc：统一内存控制器＝（ulck+mclk）

fclk:IF总线 ulck:内存控制器 mclk:内存

注意这些电压有联动关系。

vddio＞vddp+100mv

msic＞vddg+100mv

soc＜vddio+100mv

没有联动电压会报错！

电压详细解读可以去参考我转载的一个外文大佬超频教程

最后使用tm5里的extreme1&anta777验证，16gx2跑3轮结束，要1小时40分钟，需要开启虚拟内存不然可能会掉线程，（其实偷懒跑一轮半个多小时也行）第二轮第三轮报错大概率是温度问题。

目前测下来基本出现的问题都是就是报错4，网上的对错码似乎是ddr4的，对ddr5没有用，我测试soc、 vddio 、vddp、 cpu核心电压过低，都会报错4，iod温度过高会重启蓝屏报错。

特别注意 :经过测试iod温度达到上限，会出现自动重启、报错、蓝屏等现象。

最终效能图

5.4g ，tREFI24960下延迟55.2

全核心改为5.5g tfei为65535，最低延迟能到53.8ns、

提示: 开pbo的延迟会高一点点，全核心没那么高（吃的是全核心频率，频率越高延迟越低）

==============================================================

cpu篇

超cpu就简单太多了，因为是7600即使开pbo2也只能加200频率，最多单核5.35，所以用定频定压超频，只需要设置倍频，电压，防掉压就够了。

我这里的设置是5.3g 1.17v 防掉压最高级别，会略微+一点1.174v ，hwinfo64里读取的到cpu_vddcr_vdd才是cpu实际电压，vcore电压是供给cpu的电压，也就是供电出来的防掉压电压，vcore_soc同理，vddcr才是SVI3接口测的核心内部真实电压，烤机时vcore甚至能达到1.22v才保证vddcr不掉压。

之后进行烤机测试，个人喜欢稳定，用p95测试第二项需要买软件里关闭AVX指令，微星主板可以在BIOS里关闭， AVX没什么用电压要求高温度也高。

带x的处理器可以用一键模式pbo，默认增加200hz频率，功耗拉倒最大，90代表温度墙。LV等级是负压等级，3级就是负压30，等级太高无法开机进系统。

注意：双CCD的7900X和7950X建议关闭PBO2里的频率增加，默认一个5.6g一个 5.7g，主板默认打开了睿频，都会提高的5.7g和5.85g，此时再用PBO2增强没有什么意义，因为温度也不允许跑到那么高，并且不能负压更高。

以7900X为例默认R23跑分2.9W 开启PBO2增加200频率负压19也是还是2.9W.而不增加频率可以负压到29，能到2.94W。放弃跑R23甚至能负压到34跑P95关闭AVX模式下第二项，因为R23默认自带了AVX和AVX2无法关闭。(AMD这个确实是出厂就灰烬，智能睿频7900X和7950X不做任何操作，全自动性能就可以完全挥发了)

PBO2里增加的频率只是处理器的上限频率，实际频率情况取决于散热、环境温度，基本日常是达不到这个频率的。

注意:

使用pbo时和定频定压相反

比如定频定压，5g 1.2v 最高防掉压，

空载时，设置电压1.2v 满载时外部电压需要达到1.25v，但cpu内部稳定在1.2v刚好够了满足了cpu烤机压力。

如果反过来最低防掉压，就需要把设置电压改为1.25v ，高负载不加压还是1.25v 但是输送到cpu时掉到了1.2v也满足了cpu，但差别在于平时待机时候电压高了，温度也就高了

定频定压注意，不要盲目加电压，加电压温度提高，温度提高体质变差需要更多电压，恶性循环就导致加再多也没用，不如打开盖板，打开空调。比如室温15℃可以1.24v跑p95，温度才80℃，当室温达到22℃，加再多电压也没用，所以才有人说缩缸了，只不过是室温变高了，其实放弃p95用另外一个方式，aida64里面内存测试，连点50次memory里的copy不死机就算成功，实测这个压力很大应该是调用了avx256指令。

而pbo恰恰相反，高负载下没事，反而低负载下电压不够，那就把防掉压设置成最低就好了，以1.25v给低负载下频率比较高，满足cpu需要，高负载下频率低，需要的电压也低因为掉压的关系恰好满足了cpu所需。

pbo2进阶模式全核心负压

以7600x为例

全核心负压推荐跑tm5里的extreme，压力比全核心p95（SSE）第二项大不少，p95只-45就能过，tm5需要-38，因为tm5负载低全程5.5g 压力更大。

pbo2进阶模式每个核心负压

适合有时间有耐心微调的人，最后也总结出了快速设置每核心负压设置！

使用coreycler这个程序测试每个核心跑p95

文件配置需要调整的地方

默认6分钟一次

修改为高于优先级，不然非常卡。

这个选择0没有暂停时间，全程高频跑缺点就是无法测试低负载（没关系后面全核心-负压）

这里设置Samll就是p95的第二项

这里设置单核心0，然后调试负压，直到能过6分钟烤机，建议每次变量2负压，稳定以后修改这个值换核心测试。

自定义模式可以选择这个CUSOM。

举例上面的0改为1后开始内存双测试模式，以p95第三项为例，再上面置最小最大FFT956到8192值，下tirturmen＝设置内存大小。

corecycler的目的只是测试出不同个性的差距，之后需要在日常使用下全核心负压增加或者降低，单核测试还关了超线程温度会比较低所需电压也低，当多核使用时温度升高所需电压也会提高。

26年更新: 放弃使用coreycler，过于复杂直接用p95选择使用单核心，然后任务管理器相关里指定核心就行

先说下这个金银核心，zen4出厂即对每个核心设置了电压偏移曲线，金银核心其实出厂就已经负压过了所以温度最低，再手动负压肯定是幅度最小的，

之后把所有0核心算1核心来描述

核心体质可以在事件查看器里查到，关闭pbo的情况下全部-4，关闭pss全部为100。

开启pbo后

134 123 120 134 131 127

1 2 3 4 5 6

cppc里查到性能优先顺序

1 4 5 6 2 3

出厂预设是

4 1 5 6 2 3

现在可以测试单核负压了

测试一个核心的时候其他全部负0，抛开被其他核心温度或者低压不稳定影响，夏天开启空调恒定温度，把散热器风扇转速调最大，打开侧板（温度低负载低才能让频率一直保持在高频）关闭pss。

参数为6分钟，sse，Samll模拟p95的第二项

数据均为平均值

核心性能负压频率温度功耗

1 134 48 5580 57.6 14.8

2 123 60 5580 57.1 15.1

3 120 60 5560 58.2 15.7

4 134 42 5590 56.8 15.4

5 131 60 5560 59.3 14.8

6 127 60 5560 60.3 15.1

从数据看负压最少的4号金核心，即使负压最小温度也最低，频率相对最高的，证明出厂设置本身就已经调教过电压，以最低温度最低电压更适合冲击高频。

另一方面sse给的压力太低，性能在131的核心5都能负压60，因为是单核测试温度比较低，单核压力低实测防掉压也不会掉压最高最低都不影响负压值，日常使用肯定要所有核心都+电压，那么有4个核心都是负压60，一起加压就拉不开差距了这个测试方案并不好用。

所以只能给重新加压。先测试体质最差3号，让它不能负压60。

核心3下sse avx都能负压60，avx2负压36，差距又太大了，于是用核心4测试了不同负载的区别。

指令负压频率温度功耗

sse 42 5590 58.2 15.4

avx 42 5480 59.6 18.3

avx和sse都无法负压44。都能负压42，认定它们压力一样，但是sse频率更高。

avx2 22 5300 63.3 20.3

avx512 22 5150 54.5 18.8

avx512是残废状态似乎限制了半速，功耗频率温度都不如avx2，也没测试是不是能负压更高，至少avx2能负的值512也可以。

由于avx和sse负压值是一样，avx512是残血，所以用avx2重新测试一遍。

核心性能负压频率温度功耗差值

1 134 28 5388 60.5 19 -6

2 123 34 5330 62 19.3 -1

3 120 36 5320 63.2 19.9 0

4 134 22 5280 64.3 20.3 0

5 131 28 5250 65.4 18.2 -3

6 127 30 5290 64.3 19.7 -1

差值为（金核心性能+负压）-（对比核心性能+负压）

核心1跟核心5有较大差距。

过程中发现一个神奇的问题，cpu跑avx2下温度超过70℃频率更高，平均5400左右，低于70℃以下平均5300少了100，经过排查问题以及观察现象得出了一个挺匪夷所思的现象。

在avx2下，温度低于70℃，pbo保持时间就像变成了成1x，超过70℃为10x 保持时间更长，70℃以下频率经常掉到4400，温度超过70℃后就能5450保持更长时间。这和印象中温度越低主频更高有悖，我有怀疑是自动高温下补偿了电压所以更稳定，于是手动降低了负压，发现并没有什么用。

不知道是否跟这个图有关系，5450&70℃，sse下没有这种现象，全程不掉频，也不像是撞到了什么墙，低温撞墙，高温不撞也没道理。最后推测原因是avx2模式下，只有温度超过70℃才加载了设置里的10x保持时间。（也是，都用上了avx2温度就不可能低于70℃，所以没做优化？）那之前说打开侧板，风扇满速，空调打开的方式不适用于测试avx2，通通关闭，并从6分钟增加到15分钟重新测试一遍avx2负压表现，工程量巨大啊！！！

核心性能负压频率温度功耗差值

1 134 30 5429 74.4 22.7 -8

2 123 32 5427 74.7 23.3 1

3 120 34 5425 74.8 23.1 2

4 134 22 5422 76.1 23.7 0

5 131 26 5380 78.9 22.2 -1

6 127 30 5398 77.6 22.3 -1

从中我们可以看到差值2之内的可以忽略，因为每次负压都是递减2，就是核心1实在看不懂了，它的性能值比5要高，但是负压比5更高，从负压后的温度，频率来说核心1确实是最强的，但是温度和公差有关系，钎焊厚度，散热器平整度问题，自己核心位置所影响，编号越靠后核心温度越高频率越低。

最后总结出来一个快速设置每颗核心负压的方法。

防掉压设置最低，因为日常用不到AVX指令，以每次1递减值来测试sse保持低温让它全程跑到最大睿频速度，只测试金银核心也就是1 、4核心，最终用金核心性能与其他核心差值设置剩下的核心负压，最终全核心每次逐步递减2，直到日常稳定。银核心比较独特单独测试。

最终测得金核心42，银核心49，以金核心配合事件管理器各个核心性能差距计算其余核心，最终还需要全核心-4（低负载会不稳定，因为之前测试需要全核心才能过tm5，），之后不稳定依次降低2，我这颗目前已经全核心降低了14才稳定。

关于cppc（pss）

其实这里可以看到更详细的，在cppc下1跟4核心都是出于1第一顺位，amd出厂设置是电压最低的为金核心，1号核心负压48，4号负压42但是这两个都是性能134。负压差距6差距非常小系统判定不错来，在上面处理器性能优先顺序那随机排列把核心1排到了第一，但是cppc开启后其实是默认1 4并列第一的这里顺序都是1可以看出来。

系统cppc默认需要2个核心为第一顺位，而amd初始模式是一个核心怼到熔断温度后才会换第二核心（后面验证）。

验证zen4平台优先以出厂设置的核心4优先。

跑r23单线程看平均频率