John Bardeen, Walter Brattain, and William Shockley

贝尔实验室的科学家约翰·巴丁（John Bardeen），沃尔特·布拉顿（Walter Brattain）和威廉·肖克利（William Shockley）发明了晶体管，这是一种可以改变世界的小型半导体器件，因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。

如今，在可以找到电子产品的每个地方都有晶体管，包括卫星和航天器。晶体管是电子技术的主力军，是预示着数字时代开始的设备。随之而来的是整个基于半导体的产业。确实，我们知道，如果没有晶体管，电信将是不可能的。

晶体管的发明者一直在研究半导体的特性，以查看它们是否可以代替当今电话网络中使用的真空管和机电继电器。机电继电器使全自动电话拨号和切换成为现实，但是继电器的速度很慢。真空管在当时的电子工业中被广泛用作二极管和三极管。他们也使电话中的许多事情成为可能，但是它们并不是很可靠。

在当时贝尔实验室研究主管梅尔文·凯利（Mervin Kelly）的指导下，一群物理学家着手研究半导体，以了解它们是否可以创造出持久的替代品，最终取代电话网络中的中继管组合。它将被证明是科学技术史上最杰出的技术历程之一。

有史以来第一个组装的晶体管。之所以称为点接触晶体管，是因为当两个尖的金属触点被压在半导体材料的表面上时会发生放大。

半导体通常是由锗或硅等元素制成的人造产品，尽管诸如硫化铅之类的天然元素早已为人所知。与诸如金属的导体一样，硅和锗的导体具有许多自由电子来承载电流，而硅和锗具有很少的电荷载流子。但是，添加少量的某些污染物（一种称为掺杂的过程）会改变载流子的数量。例如，当将少量的磷掺杂到硅中时，就可以得到良好的半导体，其中磷所贡献的电子将作为电荷载流子。由于载流子的电荷为负，因此将以此方式获得的半导体称为n型半导体。

当例如在硅上掺杂少量硼时，会形成一种更显着的半导体类型。硼通过从硅中窃取电子来提供带正电的载流子。代替电子，留下了一个孔，该孔可以在半导体内四处移动，充当正电荷的载体。这些半导体称为p型半导体。

Walter Brattain的实验室笔记本条目记录了1947年12月23日晶体管效应被发现的事件。(圣诞节前两天，让人憨憨起敬!)

半导体可以同时包含空穴和电子，空穴和电子的比例应占优势，一种载流子或相反一种载流子将占主导地位。半导体在技术上的许多重要意义在于空穴和电子的相互作用。

Bardeen，Brattain和Shockley在不同条件下测试了p型和n型半导体的各种组合。他们希望找到一种配置，该配置可以使半导体薄层调节两个电极之间的大电流。

1947年12月16日，Bardeen，Brattain和Shockley设法制造了第一个工作晶体管，现在称为点接触晶体管。在圣诞节前夕，在一个演示中，物理学家对着用晶体管连接到电路的麦克风讲话，输入信号被放大了约18倍。电子学的新时代已经到来，晶体管的发明成为电子时代的基础。

附录：

点接触晶体管 https://new.qq.com/omn/20191206/20191206A0FG8200.html