存储颗粒是存储芯片裸晶/封装芯片，内存条、SSD、手机闪存的核心原材料，由晶圆切割、封装制成，是存储产业链最上游核心元件，决定设备容量、速度、寿命、成本 。

分两大类：DRAM内存颗粒（断电丢数据）、NAND闪存颗粒（断电存数据）。

一、两大主流颗粒分类

1. DRAM颗粒（运行内存）

- 用途：电脑DDR内存、手机LPDDR运存、AI服务器HBM高带宽内存

- 特性：读写极快、需持续供电保存数据、容量成本偏高

- 全球原厂：三星、SK海力士、美光、长鑫存储（国产）

2. NAND闪存颗粒（持久存储，SSD/U盘/手机存储）

按单单元存储比特分为4代主流类型：

1. SLC（1bit/cell）

擦写10万次+，速度最快、寿命最长、价格最贵；工业、服务器、军工专用。

2. MLC（2bit/cell）

擦写3000–5000次；早年高端消费固态，现已淘汰。

3. TLC（3bit/cell，市面主流）

擦写3000次左右；家用SSD、手机、U盘主力，均衡容量/寿命/价格。

4. QLC（4bit/cell）

擦写1000次上下；大容量低价固态、监控存储，适合低频写入。

前沿：PLC（5bit/cell）高密度颗粒，企业大容量存储试点。

3. NOR颗粒（利基存储）

小容量、可直接运行程序；主板BIOS、车载MCU、物联网固件，国内旺宏、华邦为主。

三、3D NAND堆叠技术（当前闪存核心）

传统平面NAND容量瓶颈，厂商采用垂直堆叠存储层提升密度：

- 长江存储：232层3D NAND（国产主流）

- 铠侠+西数：332层BiCS10（企业级）

- SK海力士：321层，规划400层

- 美光：276层G9 TLC

层数越高，单颗颗粒容量越大、单位存储成本越低 。

四、全球核心颗粒原厂

DRAM（内存颗粒）

海外：三星、SK海力士、美光

国产：长鑫存储

NAND（闪存颗粒）

海外：三星、SK海力士、美光、铠侠（原东芝）、西数

国产：长江存储（YMTC）

五、颗粒产业链层级（分清颗粒/模组）

1. 晶圆厂（原厂）：造存储颗粒，掌握定价权（三星/长鑫/长江存储）

2. 封测厂：切割、封装晶圆，做成成品颗粒

3. 模组厂：采购颗粒+主控，组装内存条、SSD、U盘（下游品牌无颗粒制造能力）

个人观点，不做任何投资依据。