本篇主要内容为版图绘制，对于反相器电路，我会使用省略画法，对于复杂电路，我以后看情况更新吧......

首先打开inv原理图，菜单中选中Launch-Layout XL-OK-OK，版图视窗就打开了。

版图视窗

在菜单中选择Connectivity-Generate-All From Srouce，出现下面弹窗，按如图设置

把pin的类型改成M1

Pin Label的Options一定要修改，否则LVS会出错

设置完了OK即可。

此时版图未呈现具体细节，我们使用快捷键“Shift+F”即可。

可以看到此时两个管子的bodytie都是在左边的，这个可以自己取消，选中管子使用快捷键“q”，在参数设置中可以看到，这个PMOS管的衬底是分离式的，而且在生成在左边，如果你要绘制复杂电路我们需要取消这个自动生成的bodytie，使用Guard ring作为你器件的衬底链接，当然这个内容如果后期有时间的话，我会更新有关衬底链接的笔记。这里我就使用它自动生成的衬底。

在版图界面按下快捷键“e”，可以对版图的Grid和Snap进行设置，一般设置0.005的最小间隔，如果你觉得你在移动器件的时候，只能垂直地移动，那么你可以在Snap Models中把两个orthogonal改成anyAngle即可随意移动元器件。

在版图界面按下快捷键“p”之后，可以绘制导线，在Layout XL中，导线是可以自动吸附的，这十分方便，而且也会有飞线告诉你这个线网该链接到哪里。如果想看整个电路的飞线，我们可以在菜单中选择Connectivity-Incompeleted Nets中可以选择show all（展示所有未完成的飞线），或者选择某一个器件进行展示，这样大大方便了我们的连线效率。

使用快捷键“o”可以生成通孔，通常我们使用通孔组生成，一般在连接处我们需要2个通孔，这是因为如果在生产芯片的过程中，其中一个通孔失效了，另一个通孔仍能发挥作用，降低了芯片的次品率。

在通孔生成界面点击stack可以生成组合通孔，row为列，column为行，在Star Layer中可以选择开始层，End layer中选择结束层，比如从M1开始到M3，它就会自动生成M1-M2,M2-M3两层通孔。

一些知识点讲完了，接下来就连线即可。

那么这一篇章就完成了，如果有问题请留下你的评论。

谢谢大家的观看！

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