代理InfraRed Associates,光伏型锑化铟（InSb）探测器

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InfraRed Associates, Inc. 提供的光伏型锑化铟（InSb）探测器是通过台面技术在单晶材料上形成的p-n结。该工艺生产出最高质量的光电二极管，这些二极管在1μm至5.5μm波长范围内表现出卓越的电光性能。这些二极管是背景限制（BLIP）探测器，其性能可以通过空间（冷却视场光阑）或光谱（冷却干涉滤光片）减少背景辐射来增强。

典型应用：

• 医学热成像

• 热成像

• 光谱学

• 辐射测量

• 研究

• 红外显微镜

光伏效应是指当适当波长的辐射照射到p-n结时，在结上产生电势的现象。当光子流照射到结上时，如果光子能量超过禁带能量，就会形成电子-空穴对。 电场将电子从p区扫到n区，空穴从n区扫到p区。这个过程使p区带正电，n区带负电，并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示，它包括一个信号电流发生器和一个噪声电流发生器，并联一个电阻和电容项。

当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变操作曲线时，探测器应反向偏置以将其带回最佳操作点：零电压。 这可以通过使用匹配的前置放大器（如我们的IAP-1000IS）来实现。探测器-前置放大器系统在探测器噪声限制模式下运行。需要一个双输出电源。

标准光伏型锑化铟探测器

可根据客户规格提供定制配置和阵列。此外，可以提供设计用于各种冷却技术的定制金属和玻璃杜瓦瓶。请联系我们讨论您的具体需求。