1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)， 漏极（Drain—D）

IRF540N符号及封装

IRF540N参数

IRF540N（NMOS管）应用电路

MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。说白了，给箭头方向相反的压降就是导通，方向相同就是截止

IRF540N（NMOS管）应用电路

可以在单片机和栅极之间加一个1k的电阻，起到限流作用；

此外，可以栅极和源极之间加一个10k的电阻，一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S

参考 https://www.cnblogs.com/byxzwz/p/10265739.html

2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

IRF9540N符号及封装

IRF9540N参数

 IRF9540N（PMOS管）应用电路

IRF9540N应用电路，V_GS=V_G-V_S

3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A

跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。

IRF9540符号及封装

IRF9540参数